LC05132C01NMTTTG

LC05132C01NMT是一款用于单节锂离子二次电池的保护IC，集成了功率MOS FET。此外，它还集成了高精度检测电路和检测延迟电路，以防止电池过充电、过放电、过电流放电和过电流充电。 此外，主系统可以通过复位信号，在一定时间内关闭LC05132C01NMT的充电FET和放电FET，来执行自身的上电复位。 仅需LC05132C01NMT和少量外部元件即可构成电池保护系统。

• 在Ta = 25°C、VCC = 4.5V条件下，集成了充放电功率MOSFET，导通电阻（充放电总和）为11.2mΩ（典型值）
• 在Ta = 25°C、VCC = 3.7V条件下，具有高精度检测电压/电流：过充电检测±25mV，过放电检测±50mV，充电过电流检测±0.63A，放电过电流检测±0.63A
• 检测和释放延迟时间（内部固定）
• 补偿功率FE1的温度依赖性对放电/充电过电流检测的影响
• 过压电池充电：“禁止”
• 自动唤醒功能电池充电：“禁止”
• 过充电检测电压：4.0V至4.525V（5mV步进）
• 过充电释放滞后：0V至0.3V（100mV步进）
• 过放电检测电压：2.2V至2.8V（50mV步进）
• 过放电释放滞后：0V至0.075V（25mV步进）
• 强制充电FET和放电FET关断模式：RSTB > VDD0.8时，充电FET和放电FET = 1导通；RSTB < VDD0.2时，充电FET和放电FET = 1关断

• 智能手机
• 平板电脑
• 可穿戴设备