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DMN2005LP4K-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 极低的栅极阈值电压，最大0.9V。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 ESD保护栅极。 超薄封装。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2005LP4K-7B
- 商品编号
- C5438909
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 输入电容(Ciss) | 37.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大0.9V
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 栅极具备ESD保护
- 超薄封装
- 符合AEC-Q101标准,可靠性高
应用领域
- 负载开关-直流-直流转换-电机驱动器