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DMP2037U-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:6.1A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2037U-7
- 商品编号
- C5438914
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 803pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 可实现更高的功率密度
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 移动设备的电池管理
- 适配器和充电器开关
- 电池开关
- 负载开关
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