M29W800DT70N6E
M29W800DT70N6E
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M29W800DT70N6E
- 商品编号
- C598773
- 商品封装
- TSOP-48
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.463282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 10us | |
| 块擦除时间(tBE) | 800ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
M29W800是8 - Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16) 非易失性存储器,可进行读取、擦除和重新编程操作。上电时,存储器默认进入读取模式,可像ROM或Eprom一样读取。存储器被划分为可独立擦除的块,可在擦除旧数据时保留有效数据。每个块可独立保护,防止意外的编程或擦除命令修改存储器。编程和擦除命令写入存储器的命令接口。片上编程/擦除算法处理所有更新存储器内容所需的特殊操作。控制存储器所需的命令集与JEDEC标准一致。
商品特性
- VCC = 2.7 V to 3.6 V
- 访问时间:45, 70, 90 ns
- 编程时间:每字节/字典型值为10 μs
- 19个存储块,1个引导块(顶部或底部),2个参数块和16个主块
- 嵌入式字节/字编程算法
- 可暂停,可读取和编程另一个块,擦除暂停
- 解锁旁路编程命令
- 通用接口,4 - bit安全代码
- 低功耗,待机和自动模式
- 100,000次编程/擦除循环
- 电子签名,制造商代码:0020h
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