MT40A256M16GE-083EIT:B
4Gb:X4、x8、X16 DDR4 SDRAM
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- 描述
- 特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O,TC最高可达95°C。 64ms,8192周期刷新,最高可达85°C
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A256M16GE-083EIT:B
- 商品编号
- C598794
- 商品封装
- FBGA-96
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.426667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.2GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 69mA | |
| 刷新电流 | 9mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;CRC功能;自动预充电功能;动态片上端接;数据掩码功能 |
- MT41K512M8RH-125:E
- MT48H16M32LFB5-6 IT:C
- M25PX80-VMN6TP
- PC28F320J3F75A
- MT48LC8M16A2P-7EIT:L
- MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
- PC28F00AM29EWLA
- PC48F4400P0VB0EE
- MT29F1G08ABBDAH4:D
- MT29F1G08ABADAWP:D
- M29W160EB70N6F
- M29W320EB70N6E
- N25Q256A83ESF40F
- MT28EW512ABA1LPC-0SIT
- RC28F640J3F75A
- N25Q064A11ESE40F
- PC28F128P30TF65A
- M25P32-VMP6TG
- MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E
- PC28F512P30EFA
- M28W160CT70N6E
