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MT29F1G08ABBEAH4-IT:E引脚图

引脚图
焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT29F1G08ABBEAH4-IT:E

1Gb，x8 bit NAND 闪存

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描述: 特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2176字节 (2048 + 128字节)。块大小：64页 (128K + 8K字节)。平面大小：1个平面，每个平面1024个块。设备大小：1Gb，1024个块
品牌名称: micron(美光)
商品型号: MT29F1G08ABBEAH4-IT:E
商品编号: C598793
商品封装: VFBGA-63
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.914697克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	220us
	块擦除时间(tBE)	2ms
	数据保留 - TDR(年)	10年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

商品特性

符合开放NAND闪存接口(ONFI) 1.0标准
单层单元(SLC)技术
页大小x8：2176字节（2048 + 128字节）
块大小：64页（128K + 8K字节）
平面大小：1平面 x 每平面1024块
设备大小：1Gb：1024块
异步I/O性能：tRC/tWC：20ns/20ns (3.3V), 30ns/30ns (1.8V)
阵列性能：读页：80μs；编程页：220μs (典型值 3.3V/1.8V)；擦除块：2ms (典型值)
命令集：ONFI NAND闪存协议
高级命令集：编程页缓存模式、读页缓存模式、永久块锁定（块47:0）、一次性可编程(OTP)模式、块锁定（仅1.8V）、可编程驱动强度、读取ID、内部数据移动
操作状态字节提供软件方法用于检测操作完成、通过/失败条件、写保护状态
就绪/忙(R/B#)信号提供硬件方法检测操作完成
WP#信号：写保护整个设备
ECC：8位内部ECC默认启用，无法禁用；块7-0在出厂时带有ECC有效
上电后第一个命令必须为复位(FFh)
内部数据移动操作支持在读取数据的平面内进行
质量和可靠性：耐久性：100,000次编程/擦除周期；数据保留：符合JESD47G标准；附加：未循环数据保留：10年全天候在85°C下
工作电压范围：VCC：2.7 - 3.6V；VCC：1.7 - 1.95V
工作温度：工业级(IT)：-40°C 至 +85°C
封装：48引脚TSOP类型1，CPL；63球VFBGA

数据手册PDF

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