Name: micron(镁光) MT29F1G08ABBEAH4-IT:E
Brand: micron(镁光)
SKU: C598793
Price: 29.05 CNY
Availability: OutOfStock

符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准
单级单元（SLC）技术
组织架构：
- 页面大小x8：2176字节（2048 + 128字节）
- 块大小：64页（128K + 8K字节）
- 平面大小：1个平面，每个平面1024个块
- 器件大小：1Gb，1024个块
异步I/O性能：
- tRC/tWC：20ns/20ns（3.3V），30ns/30ns（1.8V）
阵列性能：
- 读取页面：80μs
- 编程页面：220μs（典型值3.3V/1.8V）
- 擦除块：2ms（典型值）
命令集：ONFI NAND闪存协议，高级命令集
- 编程页面缓存模式
- 读取页面缓存模式
- 永久块锁定（块47:0）
- 一次性可编程（OTP）模式
- 块锁定（仅1.8V）
- 可编程驱动强度
- 读取唯一ID
- 内部数据移动
操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件和写保护状态的软件方法
就绪/忙#（R/B#）信号提供检测操作完成的硬件方法
WP#信号：对整个器件进行写保护
ECC：默认启用8位内部ECC，不可禁用。出厂时块7 - 0启用ECC有效
上电后第一个命令需要RESET（FFh）
上电后设备初始化的替代方法（联系厂家）
支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
质量和可靠性：
- 耐久性：100,000次编程/擦除循环
- 数据保留：符合JESD47G标准；参见鉴定报告
- 额外：未循环数据保留：在85°C下7×24小时可保留10年
工作电压范围：
- VCC：2.7 - 3.6V
- VCC：1.7 - 1.95V
工作温度：
- 工业级（IT）：-40°C至+85°C
封装：
- 48引脚TSOP类型1，CPL
- 63球VFBGA

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	Parallel
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.7V~1.95V
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	220us
	块擦除时间(tBE)	2ms
	数据保留 - TDR(年)	10年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

MT29F1G08ABBEAH4-IT:E

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