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TK10A80E,S4X(S
1个N沟道 耐压:800V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。 增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK10A80E,S4X(S
- 商品编号
- C5379814
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 栅极具备ESD保护
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- DIODEST™ DMN3115UDMQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF 16949认证的工厂制造。
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能-模拟开关