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DMP45H4D9HJ3
1个P沟道 耐压:450V 电流:4.6A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP45H4D9HJ3
- 商品编号
- C5374776
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 547pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM603D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低输入电容
- 适用于电源应用的高BVdss额定值
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电机控制
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 不间断电源
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