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DMPH6050SFGQ-7
1个P沟道 耐压:60V 电流:18A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光照明、电源管理功能、DC-DC转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMPH6050SFGQ-7
- 商品编号
- C5374777
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0877克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.293nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64.7pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 为开关应用提供出色的导通电阻-栅极电荷品质因数（FOM）
- 100%进行栅极电阻测试
应用领域
- 电池充电与管理
- 负载开关
- DC/DC转换器
- 电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理
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