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ZXMC10A816N8TA
100V 互补对增强型 MOSFET
- 描述
- 新一代互补双MOSFET，具有低栅极驱动下可实现低导通电阻的特点。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMC10A816N8TA
- 商品编号
- C5374778
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.261克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A；2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V；170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V；2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V；9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 717pF；497pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF；18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF；55pF |
商品概述
这款新一代互补双 MOSFET 的特点是,在低栅极驱动条件下可实现低导通电阻。
商品特性
- 采用 SO-8 封装的 100V 互补型器件
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低电压(VGS = 4.5V)栅极驱动
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
应用领域
-直流电机控制-背光照明
- ZD24C02B-SSGMB
- 126RV0054
- 126RV0055
- MPX224K31D3KN15800
- MGJ2D242005SC
- 742792042
- EC600UEUAC-N05-SNNSA
- WAFER-ZH1.5-8PWZ
- WAFER-HY2.0-8PZZ
- WAFER-HY2.0-6PWZ
- WAFER-HY2.0-7PWZ
- WAFER-HY2.0-8PWZ
- WAFER-XH2.54-3PZZ
- WAFER-XH2.54-3PWZ
- WAFER-HA2.54-3PZZ
- TF-115Y-BCP9
- TF-115YY-ACP9
- TF-115YY-BCP9
- TYPEC-250C-ARP6
- TYPEC-250C-BRP6
- 1-1903329-3