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ZXMC10A816N8TA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMC10A816N8TA

100V 互补对增强型 MOSFET

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描述
新一代互补双MOSFET,具有低栅极驱动下可实现低导通电阻的特点。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMC10A816N8TA
商品编号
C5374778
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.261克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2.2A;2.1A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V;170mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.1W;2.6W
阈值电压(Vgs(th))1.7V;2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16.5nC@10V;9.2nC@10V
输入电容(Ciss)717pF;497pF
反向传输电容(Crss)46pF;18pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)29pF;55pF

商品概述

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低输入电容
  • 适用于电源应用的高BVdss额定值
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 电机控制
  • DC-DC转换器
  • 电源管理功能
  • 不间断电源

数据手册PDF