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SLM27211CB-DG
120 V、4 A 峰值、高频高端和低端驱动器
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- 描述
- 120V高低边驱动，不带互锁，VDD：8-17V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA,MT:30ns
- 品牌名称
- Sillumin(数明半导体)
- 商品型号
- SLM27211CB-DG
- 商品编号
- C5374696
- 商品封装
- SOP-8-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.354克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥；半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3A | |
| 拉电流(IOH) | 4.5A | |
| 工作电压 | 8V~17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 7ns | |
| 下降时间(tf) | 5ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.9V~2.6V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.3V~1.9V | |
| 静态电流(Iq) | 115uA |
商品概述
SLM27211是一款高频N沟道MOSFET驱动器，内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且彼此的导通和关断时间匹配至2ns。 片上自举二极管可省去外部分立二极管。高端和低端驱动器均具备欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，将强制输出为低电平。
商品特性
- 可驱动高端和低端配置的两个N沟道MOSFET
- 输入引脚与电源电压范围无关
- 最大自举电压为120V
- VDD工作范围为8V至17V
- 灌电流4.5A，拉电流3A
- 负载为1000pF时，上升时间7ns，下降时间5ns
- 传播延迟时间为22ns（典型值）
- 高端和低端驱动器具备欠压锁定功能
- 延迟匹配为2ns
- 封装选项：SOP8、SOP8-EP、DFN4x4-8、DFN4x4-10。
应用领域
- 电信、数据通信和商用电源
- 半桥和全桥转换器
- 推挽式转换器
- 高压同步降压转换器
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
- D类音频放大器