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AGM60P90A
1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- AGM60P90A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P90A
- 商品编号
- C5373095
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@10V；13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品特性
- 导通电阻：漏源导通电阻RDS(on) = 1.5Ω，条件为栅源电压VGS = 4.5V
- 驱动电压：2.5V
- 环保：符合欧盟RoHS标准，无铅
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口、逻辑开关
- 超便携式电子设备的电池管理