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AO3407

耐压:30V 电流:4.1A

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描述
特性:先进的沟槽技术。 出色的导通电阻 (RDS(ON))。 低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用:PWM应用。 负载开关
商品型号
AO3407
商品编号
C5370970
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.51W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)6.8nC@10V
输入电容(Ciss)580pF
反向传输电容(Crss)74pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)98pF

商品概述

AGM318D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的漏源导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进沟槽技术
  • 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
  • 产品无铅

应用领域

  • PWM 应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF