TLE2062IDR
TLE2062IDR
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- 描述
- TLE2062 双通道、36V、2MHz、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TLE2062IDR
- 商品编号
- C61090
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | FET输入运放 | |
| 放大器数 | - | |
| 增益带宽积(GBP) | 2MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 800pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 75dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 压摆率(SR) | 3.4V/us | |
| 静态电流(Iq) | 290uA | |
| 轨到轨 | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 6uV/℃ | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
TLE206x系列低功耗JFET输入运算放大器在不显著增加功耗的情况下,将早期的TLOGx和TLO3x BiFET系列的带宽提高了一倍。德州仪器Excalibur工艺还提供了比TLOGx和TL03x更低的噪声底限。片上齐纳调节偏移电压可为直流耦合应用提供精密等级。Tl206x器件与德州仪器其他BiFET引脚兼容;它们可以用来将TL06x和TL03x电路的带宽提高一倍,或者将TL05x、TL07x和TLO8x电路的功耗降低近90%。
BiFET运算放大器提供了JFET输入晶体管固有的高输入阻抗,同时没有牺牲双极性放大器的输出驱动能力。这使得它们更适合与高阻抗传感器或低电平交流信号接口。与具有相当功耗的双极性或CMOS器件相比,它们还具有更好的交流响应。TLE206x系列具有高输出驱动电路,能够在低至±5V的电源下驱动100Ω负载。这使它们特别适合于需要良好交流特性、低功耗和高输出驱动的应用中驱动变压器负载,如调制解调器等。
由于BiFET运算放大器是为使用双电源设计的,在单电源操作时需要注意共模输入电压限制和输出摆幅。需要对输入信号进行直流偏置,并且负载应终止于供电中点的虚拟地节点。当从单电源操作BiFET放大器时,德州仪器的TLE2426集成虚拟地发生器非常有用。
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
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