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FDS8984
2个N沟道 耐压:30V 电流:7A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8984
- 商品编号
- C61023
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 635pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UltraFET器件融合多种特性，可在功率转换应用中实现卓越效率。这些器件针对漏源导通电阻（rDS(on)）、低等效串联电阻（ESR）、低总栅极电荷和低米勒栅极电荷进行优化，非常适合高频DC - DC转换器。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 3.7 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 77 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 6 V、漏极电流（ID） = 3.5 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 88 mΩ
- 低米勒电荷
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC转换
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