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CB3401
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 电流:4.2A 电压:30V
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- CB3401
- 商品编号
- C5366419
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
BC3401采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。标准产品BC3401无铅（符合ROHS和索尼259规格）。BC3401L是绿色产品订购选项。BC3401和BC3401L在电气性能上相同。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 漏极电流（ID） = -4.2A（栅源电压VGS = -10V时）
- 导通电阻RDS(ON) < 60mΩ（栅源电压VGS = -10V时）
- 导通电阻RDS(ON) < 65mΩ（栅源电压VGS = -4.5V时）
- 导通电阻RDS(ON) < 120mΩ（栅源电压VGS = -2.5V时）