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MDT20N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT20N06
- 商品编号
- C5366135
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AON7544-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AON7544-ES为无铅产品。
商品特性
- 30V，栅源电压（VGS）= 10V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)）= 4.0毫欧（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 4.5V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)）= 7.4毫欧（典型值）
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换