温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDT20N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT20N06
- 商品编号
- C5366135
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AON7544-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AON7544-ES为无铅产品。
商品特性
- 漏源极电压(VDS):60 V,漏极电流(ID):20 A
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):< 35 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 特殊工艺技术,具备高 ESD 抗静电能力
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流均已完整表征
- 高 EAS 条件下具有良好的稳定性和一致性
- 优异封装设计,具备良好散热性能
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源