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AP22916DCA4-7

1.3V - 5.5V, 2A, 60mΩ 超低漏电流负载开关

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描述: AP22916是一款小型、低泄漏的单P沟道功率MOSFET，专为低功耗和负载开关应用而设计。这款功率MOSFET在5V电压下的典型导通电阻RDS(ON)为60mΩ，可在低正向压降的情况下提高负载电流处理能力。多种电压对应不同的时间选项，以支持各种系统负载条件
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: AP22916DCA4-7
商品编号: C5362210
商品封装: X1-WLB0808-4
包装方式: 编带
商品毛重: 0.06克(g)

商品参数

商品概述

AP22916是一款小型、低漏电流的单P沟道功率MOSFET，专为低功耗和负载开关应用而设计。这款功率MOSFET在5V时的典型RDS(ON)为60mΩ，可在低正向压降的情况下提高负载电流处理能力。多种电压对应不同的时间选项，以支持各种系统负载条件。负载开关导通引脚的触发可通过外部低电压数字信号控制启用或禁用，适用于顺序控制应用。导通引脚内置智能下拉功能。一旦使能电压高于VH，它将断开连接以避免功率损耗。借助TRCB（真反向电流阻断）功能，在关断状态下VIN和VOUT相互隔离。 AP22916负载开关的工作电压范围为1.3V至5.5V，非常适合1.3V、1.8V、2.5V、3.6V和5V系统。典型静态电源电流仅为0.5μA。 AP22916采用晶圆级芯片规模4引脚U-WLB0808-4（B型）封装，尺寸为0.78mm×0.78mm×0.455mm，引脚间距为0.4mm。该器件的工作温度范围为-40℃至+85℃。

商品特性

宽输入电压范围：1.3V至5.5V
低导通电阻
1.3V时典型值为280mΩ
1.8V时典型值为135mΩ
3.6V时典型值为65mΩ
5.0V时典型值为54mΩ
连续电流能力高达2A
真反向电流阻断（TRCB）
禁用时VOUT上有放电电阻
超低静态电流0.5μA
高电平有效控制引脚
导通的最小VH为1.0V
ESD保护：
人体模型：2kV
带电器件模型：1kV

应用领域

移动设备和智能手机
便携式媒体设备
可穿戴设备
高级笔记本电脑、UMPC和MID
便携式医疗设备
GPS和导航设备

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	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	类型	负载开关
	通道数	1
	输入控制逻辑	高电平有效

	属性	参数值
	最大连续电流	2A
	工作电压	1.3V~5.5V
	导通电阻	280mΩ
	工作温度	-40℃~+85℃