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BC3401
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 电流:4.2A 电压:30V
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- BC3401
- 商品编号
- C5362100
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 产品无铅
- 漏源电压（VDS）：最大 -30V，漏极电流（ID）：最大 -12A
- 栅源电压（VGS）~~- 20V 时，导通电阻（RDS(ON)）≤13mΩ
- 栅源电压（VGS）~~- 10V 时，导通电阻（RDS(ON)）≤14mΩ
- 栅源电压（VGS）~~- 5V 时，导通电阻（RDS(ON)）≤30mΩ