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BC3134KT
N沟道MOSFET
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- 描述
- 电流:750mA 电压:20V
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- BC3134KT
- 商品编号
- C5362117
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
QM3003M3是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。QM3003M3符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
商品特性
- 高端开关
- 低导通电阻
- 低阈值
- 快速开关速度
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关 手机、寻呼机
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