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BC8205
双N沟道MOSFET
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- 描述
- 电流:6A 电压:19V
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- BC8205
- 商品编号
- C5362147
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 19V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP6NA3R2系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源应用中。 PMPAK 5x6封装专为DC - DC转换器应用而设计，其引脚布局与带背面散热片且外形更薄的SO - 8封装兼容。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 出色的导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理