- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JMTQ4407A
P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低导通电阻和低栅极电荷
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTQ4407A
- 商品编号
- C5361732
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.252nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 306pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |