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BUK4D110-20P
1个P沟道 耐压:20V 电流:6.7A
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- 描述
- P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK4D110-20P
- 商品编号
- C5359732
- 商品封装
- DFN2020MD-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 365pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 沟槽MOSFET技术
- 极快速开关
- 可侧面焊锡浸润,便于进行光学焊锡检测
- 静电放电(ESD)保护 >1 kV HBM(H1C类)
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- DC-DC转换
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路