MDD50N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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描述
应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称MDD(辰达半导体)
商品型号
MDD50N03D商品编号
C5357578商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.015nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
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