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SI2337DS-T1-BE3实物图
  • SI2337DS-T1-BE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2337DS-T1-BE3

1个P沟道 耐压:80V 电流:1.2A 电流:2.2A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI2337DS-T1-BE3
商品编号
C5354736
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)2.2A
导通电阻(RDS(on))270mΩ@10V
耗散功率(Pd)760mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)7nC@10V
输入电容(Ciss)500pF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

-沟槽场效应晶体管功率MOSFET-符合RoHS标准-无卤

应用领域

  • 不间断电源(UPS)
  • 高效开关模式电源
  • 基于半桥的电子灯镇流器

数据手册PDF