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DMX5530E
1个N沟道 耐压:550V 电流:0.09A
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- 描述
- 耗尽型MOSFET
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMX5530E
- 商品编号
- C5354324
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70Ω@0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 215.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 58.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 耗尽型(常开)
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
- SOT-89封装
应用领域
- 瞬态保护
- 启动
- 转换器
- 常开开关
- LED驱动电路
- 电源
- 电流源
- 电压源