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TPN19008QM,LQ
1个N沟道 耐压:80V
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- 描述
- 特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 5.5 nC（典型值）。 小输出电荷：QSS = 16.5 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 14.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。 增强模式：Vth = 2.5 至 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN19008QM,LQ
- 商品编号
- C5354423
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0568克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.7mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
WCR250N65DV是新一代高压MOSFET，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。该器件适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 100%栅极电阻测试
应用领域
- 开关应用