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ESTF409
1个P沟道 耐压:60V 电流:12.7A
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- 描述
- P沟道，-60V，-12.7A，27mΩ@-10.0V,-20A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESTF409
- 商品编号
- C5350992
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V；31mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
MD20N65是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- -60V, RDS(ON) = 27 m Ω(典型值), VGS = -10 V
- RDS(ON) = 31 m Ω(典型值), VGS = -4.5 V
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 有雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换