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ESGNF10R90
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- N沟道，100V，5.0A，95mΩ@10V,2.5A，1.65V@250uA；应用领域：PLC控制器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESGNF10R90
- 商品编号
- C5350978
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V；125mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 206pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的中功率DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装N沟道增强型场效应晶体管 (FET)。
商品特性
- 扩展温度范围，结温Tj = 175℃
- 侧面可焊边，便于光学焊料检查
- 静电放电 (ESD) 保护 > 2 kV HBM (H2类)
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路