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GT10N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:7A
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- 描述
- 低CISS 雾化器用SGT工艺
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT10N10
- 商品编号
- C581347
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.401克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 206pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。SJ MOSFET是一款性价比优化的产品，适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。
商品特性
- 极低的品质因数（导通电阻RDS(on) × 栅极电荷Q_g）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）