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GT125N10M
1个N沟道 耐压:100V 电流:130A
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- 描述
- GT125N10us采用先进的SFGMOSTM技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于电机控制应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT125N10M
- 商品编号
- C581353
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 101.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1246nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.1pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个800个/圆盘
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