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GT68N12T
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GT68N12采用先进技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专门设计以提高耐用性，适用于电机控制应用。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 快速开关和软恢复
- 符合RoHS标准
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式DC/DC转换器
- 逆变器
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