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GT12N06S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GT12N06S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：60V
- 漏极电流（ID，VGS = 10V时）：12A
- 导通电阻（RDS(ON)，VGS = 10V时）：< 9mΩ
- 导通电阻（RDS(ON)，VGS = 4.5V时）：< 13mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源（SMPS）或LED驱动器中的同步整流
- 不间断电源（UPS）
- 电机控制
- 电池管理系统（BMS）
- 高频电路