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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS6375-TP

耐压:20V 电流:14A

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私有库下单最高享92折
描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
FDS6375-TP
商品编号
C5342374
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))300mV
栅极电荷量(Qg)44.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)8nF
反向传输电容(Crss)800pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

HSU12P10采用先进的沟槽MOSFET技术,可提供出色的RDS(on) 和栅极电荷,适用于各种其他应用。 HSU12P10符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。

商品特性

  • 提供绿色环保器件
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 先进的高单元密度沟槽技术

应用领域

-PWM应用-负载开关

数据手册PDF