FDS6375-TP
耐压:20V 电流:14A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDS6375-TP
- 商品编号
- C5342374
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 800pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSU12P10采用先进的沟槽MOSFET技术,可提供出色的RDS(on) 和栅极电荷,适用于各种其他应用。 HSU12P10符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
-PWM应用-负载开关
