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HSM4963
2个P沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- HSM4963 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM4963 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM4963
- 商品编号
- C5341680
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 25 V
- 漏极电流（ID） = 0.68 A
- 导通电阻（RDS(ON)） < 28 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
- 导通电阻（RDS(ON)） < 42 mΩ（栅源电压VGS = 2.7 V）
- 采用紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装。
- 栅极驱动要求极低，可在3V电路中直接工作，栅源阈值电压VGS(th) < 1 V。
- 栅源间集成齐纳二极管，具备出色的静电放电（ESD）防护能力，人体模型（HBM）静电防护等级>6kV。