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SK10N65B-TF
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 特性：RoHS 合规。 RDS(ON), typ. = 0.75 Ω × VGS = 10V。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK10N65B-TF
- 商品编号
- C5341223
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM40P75D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 符合RoHS标准
- RDS(ON),典型值 = 0.75 Ω(VGS = 10 V时)
- 低栅极电荷,可最大限度降低开关损耗
- 快速恢复体二极管
应用领域
-适配器-充电器-开关电源待机电源