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SK20N65A-TF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SK20N65A-TF

1个N沟道 耐压:650V 电流:20A

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描述
特性:专有新型平面技术。 导通电阻(典型值):0.38Ω(VGS = 10V 时)。 低栅极电荷,可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用:适配器。 TV 主电源
品牌名称
SHIKUES(时科)
商品型号
SK20N65A-TF
商品编号
C5341229
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))380mΩ@10V
耗散功率(Pd)65W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
输入电容(Ciss)2.6nF
反向传输电容(Crss)36pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

HSM9435是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 HSM9435符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

  • 专有新型平面技术
  • RDS(ON),典型值 = 0.38 Ω(VGS = 10 V 时)
  • 低栅极电荷,可最大限度降低开关损耗
  • 快速恢复体二极管

应用领域

  • 适配器
  • 电视主电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • LCD 面板电源

数据手册PDF