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SK03N120B-TF
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:3A
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- 描述
- 特性：RoHS合规。 RDS(ON)典型值为6Ω，VGS = 10V。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK03N120B-TF
- 商品编号
- C5341281
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@600V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个50个/管
总价金额：
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