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MX5114T

单路7.6A峰值电流，低端栅极驱动器

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描述: MX5114T 旨在驱动升压型配置中的低端 MOSFET，或驱动隔离拓扑中的次级同步 MOSFET。凭借强大的灌电流能力，MX5114T 能够并联驱动多个 MOSFET。MX5114T 还具备驱动低端增强型氮化镓（GaN）FET 所需的特性
品牌名称: Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
商品型号: MX5114T
商品编号: C5341119
商品封装: SOT-23-6L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

商品概述

MX5114T旨在驱动升压型配置中的低端MOSFET，或驱动隔离拓扑中的次级同步MOSFET。凭借强大的灌电流能力，MX5114T可并联驱动多个MOSFET。MX5114T还具备驱动低端增强型氮化镓（GaN）FET所需的特性。MX5114T提供反相和同相输入，以满足单一器件类型中反相和同相栅极驱动的要求。MX5114的输入与TTL/CMOS逻辑兼容，无论VDD电压如何，都能承受高达18V的输入电压。MX5114T具有分离式栅极输出，可灵活独立调节导通和关断强度。MX5114T开关速度快，传播延迟极小，便于高频操作。MX5114T采用6引脚SOT23 - 6封装。

商品特性

独立的源极和漏极输出，可控制上升和下降时间
4V至18V单电源供电
7.6A峰值灌电流和拉电流驱动能力
0.45Ω开漏下拉灌电流输出
0.65Ω开漏上拉源电流输出
10ns（典型值）传播延迟
反相和同相输入之间的延迟时间匹配
TTL/CMOS逻辑输入
高达18V的逻辑输入（与VDD电压无关）
低输入电容：2.5pF（典型值）
-40℃至125℃工作温度范围
6引脚SOT23 - 6L封装

应用领域

电池管理系统
距离测试激光雷达驱动器
升压转换器
反激式和正激式转换器
隔离拓扑中的次级同步FET驱动
电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET
	工作电压	4V~18V
	上升时间(tr)	6ns
	下降时间(tf)	6ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	15ns
	传播延迟 tpHL	10ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.8V~2.4V
	输入低电平(VIL)	900mV~1.5V
	静态电流(Iq)	70uA