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FDB075N15A
1个N沟道 耐压:150V 电流:130A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB075N15A
- 商品编号
- C59864
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 100 A 条件下,RDS(on) = 6.25 m Ω(典型值)
- 快速开关
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 \mathsfRDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源-微型太阳能逆变器
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