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ADR440ARMZ

超低噪声、2.048V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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描述: 是一系列 XFET 电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。采用温度漂移曲率校正和额外植入结 FET (XFET) 技术，大大减小了电压随温度的非线性变化。比埋入式齐纳基准源具有更好的噪声性能，并且在低电源电压裕量 (500 mV) 下工作。能够提供高达 10 mA 的输出电流和吸收高达 -5 mA 的电流，还带有一个微调端子，可在 0.5% 的范围内调节输出电压而不影响性能。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: ADR440ARMZ
商品编号: C579302
商品封装: MSOP-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.105克(g)

商品参数

商品概述

ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列是一系列电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445的电压随温度的非线性变化得到了极大的抑制。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源具有更好的噪声性能，并且可以在低电源电压裕量（500 mV）下工作。这些特性的结合使得ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列非常适合用于高端数据采集系统、光网络和医疗应用中的精密信号转换。 ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列能够提供高达10 mA的输出电流，并吸收高达 -5 mA的电流。它还配备了一个微调端子，可在不影响性能的情况下将输出电压调整0.5%的范围。

商品特性

超低噪声（0.1 Hz至10 Hz）ADR440：1 µV峰 - 峰值；ADR441：1.2 µV峰 - 峰值；ADR443：1.4 µV峰 - 峰值；ADR444：1.8 µV峰 - 峰值；ADR445：2.25 µV峰 - 峰值
出色的温度系数：A级：10 ppm/℃；B级：3 ppm/℃
低压差工作（电源电压裕量）：500 mV
输入范围：（Vout + 500 mV）至18 V
高输出源电流和吸收电流：分别为+10 mA和 -5 mA
宽温度范围：-40℃至+125℃

应用领域

精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
电池供电的仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光控电路

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	属性	参数值
	商品目录	电压基准芯片
	输出类型	固定
	工作电压	3V~18V
	输出电压	2.048V
	输出电流	10mA
	精度	±0.15%

	属性	参数值
	温度系数	10ppm/℃
	电压基准类型	串联
	静态电流(Iq)	3.75mA
	噪声(0.1Hz-10Hz)	1uVp-p
	工作温度	-40℃~+125℃@(Ta)