ADR291和ADR292是采用XFET基准电路的低噪声、微功耗精密电压基准源。与传统的基于带隙和掩埋齐纳二极管的基准源相比,新型XFET架构在性能上有显著提升。这些改进包括:在相同电流下,输出电压噪声仅为带隙基准源的四分之一;极低且超线性的温度漂移;低热滞;出色的长期稳定性。
ADR291/ADR292系列是一系列电压基准源,对于ADR291,其电源电压低至2.8 V时仍能提供稳定、精确的输出电压。ADR291和ADR292的输出电压选项分别为2.5 V和4.096 V。
静态电流仅为12 μA,使这些器件非常适合电池供电的仪器仪表。提供三种电气等级,ADR291的初始输出精度最大分别为±2 mV、±3 mV和±6 mV,ADR292的初始输出精度最大分别为±3 mV、±4 mV和±6 mV。三个等级的温度系数最大分别为8 ppm/℃、15 ppm/℃和25 ppm/℃。线性调整率和负载调整率通常分别为30 ppm/V和30 ppm/mA,可确保基准源的整体高性能。
ADR291和ADR292基准源的工作温度范围为扩展工业温度范围-40℃至+125℃。器件提供8引脚SOIC、8引脚TSSOP和3引脚TO - 92封装。