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HG25Q128M/TR
FLASH存储IC
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- 描述
- 串行闪存，带有双/四元SPI
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HG25Q128M/TR
- 商品编号
- C5310797
- 商品封装
- SOP-8-208mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 3uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 1ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 150ms@(32KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位；电源锁定保护 |
商品概述
HG25Q128 是一款 128Mb 串行闪存，为空间、引脚和功耗受限的系统提供存储解决方案。该器件提供超越普通串行闪存的灵活性与性能，适用于代码映射至 RAM、从双/四线 SPI 直接执行代码以及存储语音、文本和数据。器件采用单路 2.7V 至 3.6V 电源供电，掉电模式下电流消耗低至 3μA。所有器件均采用节省空间的封装形式提供。HG25Q128 阵列组织为 65,536 个可编程页，每页 256 字节。每次最多可编程 256 字节。页可按 16 页一组、128 页一组、256 页一组或整片擦除。HG25Q128 分别具有 4,096 个可擦除扇区和 256 个可擦除块。其支持标准串行外设接口、双/四线 I/O SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0、I/O1、I/O2 和 I/O3。HG25Q128 支持高达 104MHz 的单线 SPI 时钟频率，在使用快速读双/四线 I/O 指令时，分别支持 208MHz 和 320MHz 的等效时钟速率。此外，该器件支持 JEDEC 标准制造商与器件 ID、可发现参数寄存器、一个 64 位序列号和三个 256 字节安全寄存器。
商品特性
- 全新 SPI 闪存系列：HG25Q128: 128Mb / 16MB；标准 SPI：CLK, /CS, DI, DO, /WP, /Hold；双线 SPI：CLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /Hold；四线 SPI：CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3；软件与硬件复位
- 最高性能串行闪存：104MHz 单线 SPI 时钟；160/320MHz 等效双/四线 SPI；超过 100,000 次擦除/编程周期；超过 20 年数据保持期
- 高效的“连续读取”模式：支持 8/16/32/64 字节回绕的连续读取；寻址内存最少仅需 8 个时钟周期
- 低功耗，宽温度范围：单路 2.7 至 3.6V 电源；4mA 工作电流，< 3μA 掉电电流；-40°C 至 +85°C 工作温度范围
- 具有 4KB 扇区的灵活架构：统一扇区/块擦除；每可编程页编程 1 至 256 字节；擦除/编程挂起与恢复
- 高级安全特性：软件与硬件写保护；电源锁定和一次性可编程保护；顶部/底部、互补阵列保护；每个器件具有 64 位 ID；可发现参数寄存器；3×256 字节带一次性可编程锁的安全寄存器；易失性与非易失性状态寄存器位