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TK34E10N1,S1IX(S
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK34E10N1,S1IX(S
- 商品编号
- C5307571
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 103W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
NM8205A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 6.5 A
- RDS(ON) < 25 mΩ@VGS = 10 V
应用领域
- 锂电池保护
- 手机快充