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TPN2R703NL,L1Q(M
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。 增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN2R703NL,L1Q(M
- 商品编号
- C5307666
- 商品封装
- TSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@4.5V,22.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@15V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 890pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.17 Ω（典型值）
- 栅极开关易于控制
- 增强型：Vth = 2.5至3.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.9 mA）
应用领域
- 开关稳压器
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