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TK17A65W,S5X(M
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.17 Ω（典型值），采用超级结结构：DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5 至 3.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.9 mA）。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK17A65W,S5X(M
- 商品编号
- C5307665
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,8.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 5.5A条件下，RDS(导通) = 0.38 Ω（最大值）
- 高压器件采用新技术
- 低导通电阻
- 快速开关
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
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