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STGP19NC60KD

20 A-600 V，抗短路IGBT

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描述: 这款 IGBT 采用了先进的 PowerMESH™ 工艺，可在开关性能和低导通状态特性之间实现出色的平衡。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STGP19NC60KD
商品编号: C59521
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.72克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	-
	集射极击穿电压(Vces)	600V
	集电极电流(Ic)	35A
	耗散功率(Pd)	125W
	输出电容(Coes)	1170pF
	正向脉冲电流(Ifm)	50A
	集射极饱和电压(VCE(sat))	2.75V@12A,15V
	栅极阈值电压(Vge(th))	4.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	55nC
	输入电容(Cies)	-
	开启延迟时间(Td(on))	30ns
	关断延迟时间(Td(off))	105ns
	导通损耗(Eon)	165uJ
	关断损耗(Eoff)	255uJ
	反向恢复时间(Trr)	31ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	反向传输电容(Cres)	127pF

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：35A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：75A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.75V @ 15V，12A
功率 - 最大值：125W
开关能量：165μJ（开），255μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：55nC
25°C 时 Td（开/关）值：30ns/105ns
测试条件：480V，12A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：31ns
封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220

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