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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PTA26N60

600V N沟道MOSFET

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描述
特性:先进的平面工艺。 典型导通电阻RDS(ON) = 250mΩ,VGS = 10V时。 低栅极电荷,可最小化开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。应用:BLDC电机驱动器。 电焊机
品牌名称
PIP(丽隽)
商品型号
PTA26N60
商品编号
C575820
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.88克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)26A
导通电阻(RDS(on))250mΩ@10V,13A
耗散功率(Pd)88W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)4.28nF@25V
反向传输电容(Crss)190pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 先进平面工艺
  • 漏源导通电阻 [RDS(ON)] 典型值:250 mΩ(栅源电压 [VGS] = 10 V 时)
  • 低栅极电荷,可最大限度降低开关损耗
  • 坚固的多晶硅栅极结构

应用领域

  • 无刷直流电机驱动器
  • 电焊机
  • 高效开关电源

数据手册PDF