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PTA20N50A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 专有新型平面技术
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）典型值：当栅源电压（VGS）为10 V时，为0.24 Ω
- 低栅极电荷，可最小化开关损耗
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器充电器
- 开关电源（SMPS）
- 液晶面板电源