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PSP06N40
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@200V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合RoHS标准
- 导通电阻RDS(ON)典型值：在VGS = 10 V时为0.78 Ω
- 低栅极电荷，可降低开关损耗
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 开关电源待机电源